PECVD等離子體增強氣相沉積的設備特點：

　　1、高真空系統(tǒng)由雙級旋片真空泵和分子泵組成；

 

　　2、可配合壓強控制儀控制氣體壓力，實現(xiàn)負壓的控制；

 

　　3、數(shù)字質(zhì)量流量控制系統(tǒng)是由多路質(zhì)量流量計，流量顯示儀等組成，實現(xiàn)氣體的流量的測量和控制；

 

　　4、每條氣體管路均配備高壓逆止閥，保證系統(tǒng)的安全性和連續(xù)均勻性；

 

　　5、采用KF快速法蘭密封，裝卸方便快捷；

 

　　6、管路采用卡套連接，不漏氣；

 

　　7、超溫、過壓時，自動切斷加熱電源及流量計進氣；

 

　　8、PECVD借助射頻等使含有薄膜組成原子的氣體，在局部形成等離子體，而等離子體化學活性很強，更容易發(fā)生反應。

 

　　PECVD等離子體增強氣相沉積技術(shù)的基本要求：

　　使用CVD技術(shù)沉積目標產(chǎn)物時，其目標產(chǎn)物、原材料及反應類型的選擇通常要遵循以下3項原則：

　?。?）原材料在較低溫度下應具有較高的蒸氣壓且易于揮發(fā)成蒸汽并具有很高的純度，簡而言之原材料揮發(fā)成氣態(tài)的溫度不宜過高。

 

　?。?）通過反應類型和原材料的選擇盡量避免副產(chǎn)物的生成，若有副產(chǎn)物的存在，在反應溫度下副產(chǎn)物應易揮發(fā)為氣態(tài)，這樣易于排出或分離。

 

　?。?）盡量選擇沉積溫度低的反應沉積目標產(chǎn)物，因大多數(shù)基體材料無法承受CVD的高溫。

 

　　（4）反應過程盡量簡單易于控制。