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CVD氣相沉積的優(yōu)點(diǎn)和技術(shù)的基本要求概述

更新時(shí)間：2024-12-06      點(diǎn)擊次數(shù)：1298
    CVD氣相沉積指把含有構(gòu)成薄膜元素的氣態(tài)反應(yīng)劑或液態(tài)反應(yīng)劑的蒸氣及反應(yīng)所需其它氣體引入反應(yīng)室，在襯底表面發(fā)生化學(xué)反應(yīng)生成薄膜的過程。在超大規(guī)模集成電路中很多薄膜都是采用CVD方法制備。經(jīng)過CVD處理后，表面處理膜密著性約提高30%，防止高強(qiáng)力鋼的彎曲，拉伸等成形時(shí)產(chǎn)生的刮痕。

    CVD氣相沉積的優(yōu)點(diǎn)：

    1、沉積成膜裝置簡單；

    2、與直接蒸發(fā)法相比，可在大大低于其熔點(diǎn)或分解溫度的沉積溫度下制造耐熔金屬和各種碳化物、氮化物、硼化物、硅化物和氧化物薄膜；

    3、成膜所需的反應(yīng)源材料一般比較容易獲得，而且制備通一種薄膜可以選用不同的化學(xué)反應(yīng);有意識(shí)的改變和調(diào)節(jié)反應(yīng)物的成分，又能方便的控制薄膜的成分和特性，因此靈活性較大；

    4、特別適用于在形狀復(fù)雜的零件表面和內(nèi)孔鍍膜。

    CVD氣相沉積技術(shù)的基本要求：

    使用CVD技術(shù)沉積目標(biāo)產(chǎn)物時(shí)，其目標(biāo)產(chǎn)物、原材料及反應(yīng)類型的選擇通常要遵循以下3項(xiàng)原則：

    (1)原材料在較低溫度下應(yīng)具有較高的蒸氣壓且易于揮發(fā)成蒸汽并具有很高的純度，簡而言之原材料揮發(fā)成氣態(tài)的溫度不宜過高，一般化學(xué)氣相沉積溫度都在1000℃以下。

    (2)通過反應(yīng)類型和原材料的選擇盡量避免副產(chǎn)物的生成，若有副產(chǎn)物的存在，在反應(yīng)溫度下副產(chǎn)物應(yīng)易揮發(fā)為氣態(tài)，這樣易于排出或分離。

    (3)盡量選擇沉積溫度低的反應(yīng)沉積目標(biāo)產(chǎn)物，因大多數(shù)基體材料無法承受CVD的高溫。

    (4)反應(yīng)過程盡量簡單易于控制。
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